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参数资料
| 型号： | MRF5S19150HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 433K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.99GHz |
| 增益： | 14dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 32W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S19150HR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
0
45
?70
?25
10 ?60Gps
40 ?30IM3
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG., N?CDMA
Figure 8. 2-Carrier N-CDMA ACPR, IM3, Power
Gain, Drain Efficiency versus Output Power
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz
35 ?352 x N?CDMA, 2.5 MHz @ 1.2288 MHz Bandwidth
ηD
PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
20 ?50
ACPR
30 ?40
25 ?45
15 ?55
5 ?65
1
220
106
109
100
Figure 9. MTTF Factor versus Junction Temperature
MTTF FACTOR (HOURS X AMPS
2
)
108
107
120 140 160 180 200
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than ±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2
for MTTF in a particular application.
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
N-CDMA TEST SIGNAL
f, FREQUENCY (MHz)
?100
0
Figure 10. 2-Carrier N-CDMA Spectrum
?10
?20
?30
?40
?50
?60
?70
?80
?90
?ACPR in 30 kHz
Integrated BW
+ACPR in 30 kHz
Integrated BW
?IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
+IM3 in
1.2288 MHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
?7.5 7.56
1.5 4.53
0
?1.5
?3
?4.5
?6
(dB)
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