- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录371145 > MRF5S21130S (MOTOROLA INC) The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF5S21130S |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-880S, CASE 465C-02, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | MRF5S21130S |
7
MRF5S21130 MRF5S21130R3 MRF5S21130S MRF5S21130SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 12. Series Equivalent Input and Output Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
2080
2110
2140
1.51 – j2.97
1.59 – j2.68
1.52 – j2.54
2.87 – j9.49
3.13 – j9.86
4.05 – j10.90
5
/1%
(
5
;"%
67
5
2 "89:
6
5
6/
I
$ 5
#+,
$ 5
#+,
6<1=
$ 5
#+,
$ 5
#+,
2170
2200
1.54 – j3.13
1.62 – j2.70
4.80 – j11.75
5.55 – j11.87
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
>7
#71>9
=7@6<A
=81=
>/=<
=7
77
#71>9
=7@6<A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S21130SR3 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S21150 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF5S21150S | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF5S21150R3 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF5S21150SR3 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S21130SR3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S21150 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF5S21150HR3 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S21150HR5 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S21150HSR3 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。