- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录371145 > MRF5S21130SR3 (MOTOROLA INC) The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF5S21130SR3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | MRF5S21130SR3 |
MRF5S21130 MRF5S21130R3 MRF5S21130S MRF5S21130SR3
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Case Temperature 80
°
C, 92 W CW
Case Temperature 80
°
C, 28 W CW
R
θ
JC
0.56
0.56
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate–Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 300
μ
Adc)
V
GS(th)
2.5
2.7
3.5
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 28 Vdc, I
D
= 1200 mAdc)
V
GS(Q)
—
3.7
—
Vdc
Drain–Source On–Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 3 Adc)
V
DS(on)
—
0.26
0.3
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 3 Adc)
g
fs
—
7.5
—
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS (1)
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
2.6
—
pF
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture, 50 ohm system) 2–carrier W–CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carriers, ACPR and
IM3 measured in 3.84 MHz Bandwidth. Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Common–Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 28 W Avg., I
DQ
= 1200 mA, f1 = 2112.5 MHz,
f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz)
G
ps
12
13.5
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 28 W Avg., I
DQ
= 1200 mA, f1 = 2112.5 MHz,
f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz)
η
24
26
—
%
Third Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 28 W Avg., I
DQ
= 1200 mA, f1 = 2112.5 MHz,
f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz; IM3
measured over 3.84 MHz BW at f1 –10 MHz and f2 +10 MHz
referenced to carrier channel power.)
IM3
–37
–35
dBc
Adjacent Channel Power Ratio
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 28 W Avg., I
DQ
= 1200 mA, f1 = 2112.5 MHz,
f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz; ACPR
measured over 3.84 MHz at f1 –5 MHz and f2 +5 MHz.)
ACPR
—
–39
–37
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 28 W Avg., I
DQ
= 1200 mA, f1 = 2112.5 MHz,
f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz, f2 = 2167.5 MHz)
IRL
—
–12
–9
dB
(1) Part is internally matched both on input and output.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S21150 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF5S21150S | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF5S21150R3 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF5S21150SR3 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF5S9070NR1 | RF Power Field Effect Transistors |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S21150 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF5S21150HR3 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S21150HR5 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S21150HSR3 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S21150HSR5 | 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。