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参数资料
| 型号： | MRF5S9100NR1 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 514K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100W 26V TO-270-4 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 19.5dB |
| 电压 - 测试： | 26V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 950mA |
| 功率 - 输出： | 20W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | TO-270AB |
| 供应商设备封装： | TO-270 WB-4 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MRF5S9100NR1CT |
MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| B23JW-JA | SW TOGGLE DPDT .4VA STR LONG PDL |
| MRF5S9100NBR1 | MOSFET N-CH 100W 26V TO-272-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S9101MBR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 100W TO2724 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S9101MR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 100W TO2704 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF5S9101N | 制造商:-- 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-270 |
| MRF5S9101NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9101NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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