参数资料
型号: MRF5S9101NBR1
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 16/20页
文件大小: 542K
描述: MOSFET N-CH 100W 26V TO-272-4
产品变化通告: RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011
标准包装: 1
晶体管类型: LDMOS
频率: 960MHz
增益: 17.5dB
电压 - 测试: 26V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 700mA
功率 - 输出: 100W
电压 - 额定: 68V
封装/外壳: TO-272BB
供应商设备封装: TO-272 WB-4
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: MRF5S9101NBR1CT
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 2. MRF5S9101MR1(MBR1) 900 MHz Test Circuit Component Layout
C10
C12
C15
C11
C20
C13
C1
C2
C8
C9
C14
R3
C16
C17
C19
R1
C18
VGG
R2
C4
C7
C21
C5
C3
C6
VDD
CUT OUT AREA
Rev 2
MRF5S9101N
900 MHz
Freescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor
signature/logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These changes will have
no impact on form, fit or function of the current product.
相关PDF资料
PDF描述
3299Y-1-505LF TRIMMER 5M OHM 0.5W TH
3299Y-1-104LF TRIMMER 100K OHM 0.5W TH
3299Y-1-254LF TRIMMER 250K OHM 0.5W TH
A12EB-GB SW TOGGLE SPDT STR BRKT CAP PCB
MRF5S9100NR1 MOSFET N-CH 100W 26V TO-270-4
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF5S9101NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S9150HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S9150HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF5S9150HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S9150HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray