参数资料
型号: MRF6S18140HR3
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 7/12页
文件大小: 435K
描述: MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880
标准包装: 250
晶体管类型: LDMOS
频率: 1.88GHz
增益: 16dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 1.2A
功率 - 输出: 29W
电压 - 额定: 68V
封装/外壳: NI-880
供应商设备封装: NI-880
包装: 带卷 (TR)
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
Figure 2. MRF6S18140HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
+
C8
R5
B1
R1
R3
C6
C4
C1
C9
R6
R4
B2
R2
C5
C3
C11
C14 C15
C2
C10
C12 C13
C16
CUT OUT AREA
MRF6S18140H/HS
Rev. 1
+
C7
相关PDF资料
PDF描述
WMF1S27K-F CAP FILM 0.027UF 100VDC AXIAL
KT11P2SA2M34LFS SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V
3292W-1-104LF TRIMMER 100K OHM 0.5W TH
KT11B2SAM34LFS SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V
3252X-1-202LF TRIMMER 2K OHM 0.75W TH
相关代理商/技术参数
参数描述
MRF6S18140HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S18140HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S18140HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S1900HSR3 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: