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参数资料
| 型号： | MRF6S19120HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 757K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.99GHz |
| 增益： | 15dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 19W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19120HR3 MRF6S19120HSR3
Figure 2. MRF6S19120HR3(SR3) Test Circuit Component Layout
MRF6S19120 Rev. 0
CUT OUT AREA
C9
R1
C5 C7
C1
B1 R2
C3
C4
C11 C10
C13
C6 C8
C12
C14
C2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCM01-001ED900J-F | CAP MICA 90PF 500V 5% SMD |
| MRF6S19120HR3 | MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780 |
| MCM01-001ED820M-F | CAP MICA 82PF 500V 20% SMD |
| MRF6S19100NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 22W TO270-4 |
| MRF6S19100NBR1 | MOSFET RF N-CH 28V 22W TO272-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S19120HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 19W N-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S19120HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 19W N-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S19140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 28V 29W LDMOS NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S19140HR3_07 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S19140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 28V 29W LDMOS NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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