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参数资料
| 型号： | MRF6S21190HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 418K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 54W NI880S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 54W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6S21190HR3 MRF6S21190HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 12. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 54 W Avg., and
ηD
= 29%.
MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
W-CDMA TEST SIGNAL
246810
0.0001
100
0
PEAK?TO?AVERAGE (dB)
Figure 13. CCDF W-CDMA 3GPP, Test Model 1,
64 DPCH, 50% Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
PROBABILITY (%)
W?CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Input Signal
?60
?110
?10
(dB)
?20
?30
?40
?50
?70
?80
?90
?100
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8 5.43.6
0
?7.2
?5.4
?3.6
?1.8
?9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. Single-Carrier W-CDMA Spectrum
?ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
?ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S24140HR3 | MOSFET RF N-CHAN 28V 140W NI-880 |
| MRF6S24140HSR3 | MOSFET N-CHAN 140W 28V NI-88OS |
| B84312C112E1 | FILTER COMM LINE 0.1A 42VAC |
| MRF8S18260HR6 | MOSFET RF N-CH 260W NI1230-8 |
| SMD2000 | SOLDER/DESOLDER REWORK KIT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S21190HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.1GHZ 54W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S23100H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S23100HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S23100HR3_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S23100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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