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参数资料
| 型号： | MRF6S23140HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 432K |
| 描述： | MOSFET RF N-CHAN 28W 28W NI-880S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.39GHz |
| 增益： | 15.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.3A |
| 功率 - 输出： | 28W |
| 电压 - 额定： | 68V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
1 10010
?60
0
0.1
7th Order
TWO?TONE SPACING (MHz)
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 140 W (PEP)
IDQ
= 1300 mA, Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2350 MHz
5th Order
3rd Order
?20
?30
?40
?50
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
Figure 8. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
43
59
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1300 mA
Pulsed CW, 8 μsec(on), 1 msec(off)
f = 2350 MHz
49
45
31 3733
35 4139
Actual
Ideal
57
55
51
53
47
29
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
Figure 9. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
0 ?55
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
42
?20
30
?25
24
?30
18
?35
6
?45
0.5 3001 10 100
?40
12
IM3
Gps
TC
= ? 30
C
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
36
?50
ηD
25C
C
?30C
85
ACPR
?10
P6dB = 53.51 dBm (224.39 W)
P3dB = 53.04 dBm (201.42 W)
P1dB = 52.22 dBm (162.72 W)
25C
85C
?30C
25C
?30C
85C
VDD= 28 Vdc, IDQ
= 1300 mA
f1 = 2345 MHz, f2 = 2355 MHz
2?Carrier W?CDMA, 10 MHz
Carrier Spacing, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CD10CD060DO3F | CAP MICA 6PF 500V RADIAL |
| CD10CD010DO3F | CAP MICA 1PF 500V RADIAL |
| DPP6P1K-F | CAP FILM 0.1UF 630VDC RADIAL |
| MIN02-002C4R3D-F | CAP MICA 4.3PF 300V SMD |
| MIN02-002C3R9D-F | CAP MICA 3.9PF 300V SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6S23140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S24140H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S24140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.4GHZ HV6 W-CDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6S24140HR3_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S24140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.4GHZ HV6 W-CDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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