参数资料
型号: MRF6S24140HR3
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 2/12页
文件大小: 390K
描述: MOSFET RF N-CHAN 28V 140W NI-880
标准包装: 250
晶体管类型: LDMOS
频率: 2.39GHz
增益: 15.2dB
电压 - 测试: 28V
额定电流: 10µA
电流 - 测试: 1.3A
功率 - 输出: 28W
电压 - 额定: 68V
封装/外壳: NI-880
供应商设备封装: NI-880
包装: 带卷 (TR)
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RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
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PDF描述
MRF6S24140HSR3 MOSFET N-CHAN 140W 28V NI-88OS
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相关代理商/技术参数
参数描述
MRF6S24140HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S24140HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.4GHZ HV6 W-CDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S24140HS 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S24140HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.4GHZ HV6 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6S24140HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.4GHZ HV6 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray