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参数资料
| 型号： | MRF6V10250HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 630K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH NI780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.09GHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 2mA |
| 电流 - 测试： | 250mA |
| 功率 - 输出： | 250W |
| 电压 - 额定： | 100V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF6V10250HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo
=10?
Zload
f = 978 MHz
f = 1090 MHz
Zsource
f = 978 MHz
f = 1090 MHz
VDD
=50Vdc,IDQ
= 250 mA, Pout
= 250 W Peak
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
978
1.67 -- j2.04
4.3 -- j2.72
1030
2.39 -- j2.23
5.66 -- j2.42
1090
3.26 -- j3.72
5.85 -- j2.39
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S18140HSR3 | MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880S |
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| MRF6S18140HR3 | MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880 |
| WMF1S27K-F | CAP FILM 0.027UF 100VDC AXIAL |
| KT11P2SA2M34LFS | SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6V10250HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W AVIONIC NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V12250HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V12250HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V12250HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V12250HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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