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参数资料
| 型号： | MRF6V12250HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 630K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.03GHz |
| 增益： | 20.3dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 100mA |
| 功率 - 输出： | 275W |
| 电压 - 额定： | 100V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V10250HSR3
Figure 2. MRF6V10250HSR3 Test
Circuit Component Layout
MRF6V10250H Rev. 3
CUT OUT AREA
C7
R2
C6
L1
C1
C2
C3
C4
C5
R1
C15
C12
L2
C8
C9
C10
C11
C13 C14
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 150823K400EC | CAP FILM 0.082UF 400VDC AXIAL |
| MRF6V12250HR3 | MOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780 |
| 3224X-1-202E | TRIMMER 2K OHM 0.25W SMD |
| 150124K400EC | CAP FILM 0.12UF 400VDC AXIAL |
| MC12FD151F-TF | CAP MICA 150PF 500V 1% 1210 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF6V12500H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6V12500HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 500W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6V12500HR3_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6V12500HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 500W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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