型号: | MRF6V12500HSR3 |
厂商: | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
封装: | ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN |
文件页数: | 1/13页 |
文件大小: | 1197K |
代理商: | MRF6V12500HSR3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MRF6V13250HR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF6V13250HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF6V13250HSR5 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF6V2150NBR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
MRF6V2150NR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MRF6V12500HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6V13250HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6V13250HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6V13250HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6V13250HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |