型号: | MRF6VP3450HSR6 |
厂商: | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
封装: | ROHS COMPLIANT, CASE 375E-04, NI-1230S, 4 PIN |
文件页数: | 1/18页 |
文件大小: | 1077K |
代理商: | MRF6VP3450HSR6 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MRF6VP41KHSR6 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF7P20040HR3 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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MRF7S15100HSR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MRF6VP41KH | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
MRF6VP41KHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6VP41KHR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6VP41KHR7 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF6VP41KHR7 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER FET N CH 110V 375D-05 |