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参数资料
| 型号： | MRF6VP41KHR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/19页 |
| 文件大小： | 1288K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 450MHz |
| 增益： | 20dB |
| 电压 - 测试： | 50V |
| 额定电流： | 5mA |
| 电流 - 测试： | 150mA |
| 功率 - 输出： | 1000W |
| 电压 - 额定： | 110V |
| 封装/外壳： | NI-1230 |
| 供应商设备封装： | NI-1230 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 158X683 | CAP FILM 0.068UF 275VAC RADIAL |
| MRF6V14300HSR3 | MOSFET RF N-CH 50V NI780S |
| MRF6V14300HR5 | MOSFET RF N-CH 50V NI780 |
| B3FS-1000P | SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V |
| MRF6V14300HR3 | MOSFET RF N-CH 50V NI780 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF6VP41KHR7 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP41KHR7 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER FET N CH 110V 375D-05 |
| MRF6VP41KHR7-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRF6VP41KH Series 10 - 500 MHz 110 V N-Channel RF Power Mosfet |
| MRF6VP41KHSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ1000W NI1230S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF6VP41KHSR6 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450MHZ1000W NI1230S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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