型号: | MRF752 |
厂商: | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
中文描述: | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 44K |
代理商: | MRF752 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MRF837 | NPN SILICON RF LOW POWER TRANSISTOR |
MRF838A | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
MRF839F | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
MRF846 | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
MRF890 | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MRF7P20040HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2GHZ 40W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF7P20040HR3_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
MRF7P20040HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2GHZ 40W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF7P20040HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2GHZ 40W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF7P20040HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2GHZ 40W NI780HS-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |