- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21692 > MRF7S18125AHR5 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF7S18125AHR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 471K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.88GHz |
| 增益： | 17dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 125W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S18125AHR3 MRF7S18125AHSR3
Figure 1. MRF7S18125AHR3(HSR3) Test Circuit Schematic
Z8 0.200″
x 0.083
″
Microstrip
Z9 1.116″
x 0.083
″
Microstrip
Z10 0.227″
x 0.083
″
Microstrip
Z11 1.175″
x 0.080
″
Microstrip
Z12, Z13 0.760″
x 0.080
″
Microstrip
PCB Taconic TLX-8 RF35, 0.031″, εr
= 2.55
Z1 0.227″
x 0.083
″
Microstrip
Z2 1.180″
x 0.083
″
Microstrip
Z3 0.135″
x 0.083
″
Microstrip
Z4 0.568″
x 1.000
″
Microstrip
Z5 0.092″
x 1.000
″
Microstrip
Z6 0.095″
x 1.000
″
Microstrip
Z7 0.565″
x 1.000
″
Microstrip
VBIAS
VSUPPLY
RF
OUTPUT
RF
INPUT
DUT
C1
C8
R1
Z1
Z2
Z3
Z4
C7
R2
Z11
R3
Z5
Z7
Z8
C14
Z9
C12
C13
Z12
C9
C2
C6
+
Z6
Z10
C3
C11
C4
C5
Z13
C15
C10
Table 5. MRF7S18125AHR3(HSR3) Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Part Number
Manufacturer
C1
1 μF, 50 V Chip Capacitor
C3216X5R1H105K
TDK
C2, C3, C4, C5
4.7 μF, 50 V Chip Capacitors
C4532X5R1H475M
TDK
C6
220 μF, 63 V Electrolytic Chip Capacitor
2222 136 68221
Vishay
C7, C8, C9, C10, C11
8.2 pF Chip Capacitors
ATC100B8R2BT500XT
ATC
C12, C13, C14
0.2 pF Chip Capacitors
ATC100B0R2BT500XT
ATC
C15
0.5 pF Chip Capacitor
ATC100B0R5BT500XT
ATC
R1, R2
10 kΩ, 1/4 W Chip Resistors
CRCW12061001FKEA
Vishay
R3
10 Ω, 1/4 W Chip Resistor
CRCW120610R0FKEA
Vishay
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S18125AHR3 | MOSFET RF N-CH CW 125W NI780 |
| CDV19FF111JO3 | CAP MICA 110PF 1KV 5% RADIAL |
| CD5EC750JO3F | CAP MICA 75PF 300V 5% RADIAL |
| CD17FD361JO3F | CAP MICA 360PF 500V 5% RADIAL |
| 3252W-1-202LF | TRIMMER 2K OHM 0.75W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S18125AHSR | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF7S18125AHSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW125W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125AHSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ CW125W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125BHR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S18125BHR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。