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参数资料
| 型号： | MRF7S18170HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/18页 |
| 文件大小： | 934K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH NI-880S |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.81GHz |
| 增益： | 17.5dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 50W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S18170HR3 MRF7S18170HSR3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S19080HSR5 | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| MRF7S19100NR1 | MOSFET RF N-CH 28V 29W TO270-4 |
| MRF7S19120NR1 | MOSFET RF N-CH TO-270-4 |
| MRF7S19170HSR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| MRF7S19210HSR5 | MOSFET RF N-CH 28V 63W NI780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S19080HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19080HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19080HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF7S19080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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