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参数资料
| 型号： | MRF7S19080HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/19页 |
| 文件大小： | 1165K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH NI-780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 750mA |
| 功率 - 输出： | 24W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S19080HR3 MRF7S19080HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 17. MRF7S19080HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout ? TD--SCDMA
R1
CUT OUT AREA
HV7
2.1 GHz
NI780
Rev. 1
R2
C6
C2
C3 C4
C5
C1
C8
C12
C13
C9
C10
C11
C7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ST5ETW501 | TRIMMER 500 OHM 0.25W SMD |
| WMF1D68K | CAP FILM 6800PF 100VDC AXIAL |
| MRF7S19080HR3 | MOSFET RF N-CH NI-780 |
| C3391-25.000 | OSC 25.000 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| MRF7S21080HSR3 | MOSFET RF N-CH 22W NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S19080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19100NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19100NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S19100NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF7S19120NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 36W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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