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参数资料
| 型号： | MRF7S19210HSR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 761K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 28V 63W NI780S |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.93GHz |
| 增益： | 20dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 63W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S19210HR3 MRF7S19210HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
P3dB = 55.27 dBm (337 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pulsed CW
10
μsec(on), 10% Duty Cycle, f = 1930 MHz
56
54
52
37 3938
Actual
Ideal
P1dB = 54.35 dBm (272 W)
57
55
51
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
53
58
59
60
35
34
33
30
32
31
50
29
Test Impedances per Compression Level
Zsource
?
Zload
?
P1dB
5.72 -- j5.51
1.30 -- j0.69
Figure 12. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V @ 1930 MHz
36
P3dB = 55.25 dBm (335 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pulsed CW
10
μsec(on), 10% Duty Cycle, f = 1990 MHz
56
54
52
37 3938
Actual
Ideal
P1dB = 54.29 dBm (269 W)
57
55
51
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
53
58
59
60
35
34
33
30
32
31
50
29
Test Impedances per Compression Level
Zsource
?
Zload
?
P1dB
6.20 + j1.19
1.09 -- j046
Figure 13. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V @ 1990 MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S21080HSR5 | MOSFET RF N-CH 22W NI-780S |
| MRF7S21110HSR5 | MOSFET RF N-CH 33W NI-780S |
| MRF7S21150HSR5 | MOSFET RF N-CH 150W NI780S |
| MRF7S21170HR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
| MRF7S21210HSR5 | MOSFET RF N-CH 63W NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S21080HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21080HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21110HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 33W WCDMA NH780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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