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参数资料
| 型号： | MRF7S21080HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 15/15页 |
| 文件大小： | 802K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 22W NI-780 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.11GHz |
| 增益： | 18dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 22W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S21080HR3 MRF7S21080HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo
=25?
Zload
Zsource
f = 2060 MHz
f = 2220 MHz
f = 2040 MHz
f = 2220 MHz
f = 2060 MHz
VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA, Pout
=22WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
2060
7.16 -- j11.074
4.403 -- j6.809
2080
7.066 -- j10.796
4.275 -- j6.662
2100
6.954 -- j10.526
4.147 -- j6.515
2120
6.857 -- j10.260
4.017 -- j6.375
2140
6.745 -- j9.980
3.889 -- j6.233
2160
6.668 -- j9.728
3.764 -- j6.126
2180
6.588 -- j9.462
3.642 -- j6.016
2200
6.511 -- j9.203
3.519 -- j5.895
2220
6.403 -- j8.892
3.401 -- j5.774
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PAGA-3114 | SWITCH PUSHWHEEL HEX W/END 0-15 |
| MRF7S19080HR5 | MOSFET RF N-CH NI-780 |
| 3292W-1-103LF | TRIMMER 10K OHM 0.5W TH |
| CD10ED300GO3F | CAP MICA 30PF 500V 2% RADIAL |
| 3292W-1-501LF | TRIMMER 500 OHM 0.5W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S21080HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21080HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 22W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21110HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 33W WCDMA NH780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S21110HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 33W WCDMA NH780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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