型号: | MRF7S35120HSR3 |
厂商: | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
封装: | ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN |
文件页数: | 1/11页 |
文件大小: | 732K |
代理商: | MRF7S35120HSR3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MS2222103-A | CONN,HOUSING,6POS,9255-06E-4Z, .156",YELLOW,20AWG,CLOSED |
MS2222103-B | HEADER,.100",2POS,644456-2-VP ,TIN,STRAIGHT POST,(10) |
MS2222103 | CONN,HOUSING,5POS,9255-05E-4Z, .156",YELLOW,20AWG,CLOSED |
MS225R015-A | HEADER,.100",5 POS,644456-5-VP ,TIN,STRAIGHT POST |
MS225R015-B | HEADER,.100",6 POS,644456-6-VP ,TIN,STRAIGHT POST |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MRF7S35120HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 120W PULSED RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF7S38010H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
MRF7S38010HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF7S38010HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF7S38010HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |