- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21694 > MRF7S38040HR5 (Freescale Semiconductor)MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MRF7S38040HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 512K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 3.4GHz |
| 增益： | 14dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 450mA |
| 功率 - 输出： | 8W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-400-240 |
| 供应商设备封装： | NI-400-240 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF7S38040HR3 MRF7S38040HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances OFDM Signal
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 30 Vdc, I
DQ
= 450 mA, P
out
= 8
W Avg.,
3/4, 4 Bursts, PAR = 9.5 dB @
f = 3400
MHz and f = 3600
MHz, WiMAX Signal, OFDM Single-Carrier, 7 MHz Channel Bandwidth, 64 QAM
0.01% Probability on CCDF.
Mask System Type G @ Pout
= 8
W Avg.
Point B at 3.5 MHz Offset
Point C at 5 MHz Offset
Point D at 7.4 MHz Offset
Point E at 14 MHz Offset
Point F at 17.5 MHz Offset
Mask
?
?
?
?
?
-27
-38
-42
-60
-60
?
?
?
?
?
dBc
Relative Constellation Error @ Pout
= 8 W Avg.
(1)
RCE
?
-34
?
dB
Error Vector Magnitude
(1)
(Typical EVM Performance @ Pout
= 8
W Avg. with OFDM 802.16d
Signal Call)
EVM
?
2.0
?
% rms
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 30 Vdc, IDQ
= 450 mA, 3400-3600 MHz Bandwidth
Video Bandwidth @ 44 W PEP Pout
where IM3 = -30 dBc
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
ΔIMD3 = IMD3 @ VBW frequency - IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
?
30
?
MHz
Gain Flatness in 200 MHz Bandwidth @ Pout
= 8 W Avg.
GF
?
0.87
?
dB
Average Deviation from Linear Phase in 200 MHz Bandwidth
@ Pout
= 40
W CW
Φ
?
1.62
?
°
Average Group Delay @ Pout
= 40
W CW, f = 3500 MHz
Delay
?
1.65
?
ns
Part-to-Part Insertion Phase Variation @ Pout
= 40 W CW,
f = 3500 MHz, Six Sigma Window
ΔΦ
?
22.9
?
°
Gain Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔG
?
0.027
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔP1dB
?
0.121
?
dBm/°C
1. RCE = 20Log(EVM/100)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S38040HR3 | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400 |
| FCN2420E104K-B | CAP FILM 0.1UF 250VDC 2420 |
| FCN2420E823K-B | CAP FILM 0.082UF 250VDC 2420 |
| 184684K63RCB-F | CAP FILM 0.68UF 63VDC RADIAL |
| 184684K63RCA-F | CAP FILM 0.68UF 63VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF7S38040HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38040HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38075HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 12W 30V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38075HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 12W 30V NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF7S38075HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 12W 30V NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。