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参数资料
| 型号： | MRF859S |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 14 pin DIP, 5.0 Volt, HCMOS/TTL, Clock Oscillator |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | MRF859S |
MRF859 MRF859S
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA
M
o
G
G
830
910
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 2. Performance in Broadband Circuit
TYPICAL CHARACTERISTICS
15
14.5
14
12
840
850
860
870
880
890
900
Gpe
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
V
VSWR
VCC = 24 Vdc
IC = 900 mA
Pout = 6.5 W (CW)
14
12
10
0
Pin, INPUT POWER (WATTS)
Figure 3. Output Power & Power Gain versus
Input Power
8
6
4
0
0.2
0.4
0.6
Gpe
15
14
13
12
11
8
Pout
VCC = 24 Vdc
IC = 900 mA
f = 870 MHz
2
0.8
1
1.2
2
10
9
2500
0
VCE (Vdc)
Figure 4. DC SOA
0
TJ = 150
°
C
Tf = 60
°
C
1000
500
I
2500
0
VCE (Vdc)
Figure 5. DC SOA
0
TJ = 175
°
C
Tf = 60
°
C
I
2000
1500
1000
500
1.00E+09
100
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 6. MTBF Factor versus
Junction Temperature
1.00E+08
1.00E+07
1.00E+06
1.00E+05
1.00E+04
1.00E+03
120
140
160
180
200
220
240
260
13
13.5
12.5
1.4
1.6
1.8
1500
2000
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
30
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
2.09E+07
5.00E+06
1.37E+06
4.19E+05
1.42E+05
5.24E+04
2.11E+04
8.94E+03
1.02E+08
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