- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录479 > MRF89XAM9A-I/RM (Microchip Technology)IC TXRX MOD 915MHZ ULP SUB-GHZ Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MRF89XAM9A-I/RM |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 24/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TXRX MOD 915MHZ ULP SUB-GHZ |
| 标准包装： | 54 |
| 频率： | 902MHz ~ 928MHz |
| 数据传输率 - 最大： | 200kbps |
| 调制或协议： | FSK，OOK |
| 应用： | 通用 |
| 功率 - 输出： | 12.5dBm |
| 灵敏度： | -111dBm |
| 电源电压： | 2.1 V ~ 3.6 V |
| 电流 - 接收： | * |
| 电流 - 传输： | 30mA |
| 数据接口： | PCB，表面贴装 |
| 天线连接器： | 板载，跟踪 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页当前第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页
MRF89XAM9A
TABLE 4-1:
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Parameter
Ambient Operating Temperature
Supply Voltage for RF, Analog and Digital Circuits
Supply Voltage for Digital I/O
Input High Voltage (V IH )
Input Low Voltage (V IL )
Min
-40
2.1
2.1
0.5 * V IN
-0.3V
Typ
—
—
—
—
—
Max
+85
3.6
3.6
V IN + 0.3
0.2 * V IN
Unit
°C
V
V
V
V
Condition
—
—
—
—
—
AC Peak Voltage on Open Collector Outputs (IO) (1) V IN – 1.5
—
V IN + 1.5
V
—
Note 1:
At minimum, V IN – 1.5V should not be lower than 1.8V.
TABLE 4-2:
CURRENT CONSUMPTION
Symbol
I DDSL
Chip Mode
Sleep
Min
—
Typ
0.1
Max
2
Unit
μA
Condition
Sleep clock disabled, all blocks
disabled
I DDST
I DDFS
I DDTX
I DDRX
Idle
Frequency Synthesizer
Tx
Rx
—
—
—
—
—
65
1.3
25
16
3.0
80
1.7
30
21
3.5
μA
mA
mA
mA
mA
Oscillator and baseband enabled
Frequency synthesizer running
Output power = +10 dBm
Output power = +1 dBm (1)
—
Note 1:
Guaranteed by design and characterization.
TABLE 4-3:
DIGITAL I/O PIN INPUT SPECIFICATIONS (1)
Symbol
V IL
V IH
I IL
I IH
V OL
V OH
Characteristic
Input Low Voltage
Input High Voltage
Input Low Leakage Current (2)
Input High Leakage Current
Digital Low Output Voltage
Digital Low Output
Min
—
0.8 * V IN
-0.5
-0.5
—
0.9 * V IN
Typ
—
—
—
—
—
—
Max
0.2 * V IN
—
0.5
0.5
0.1 * V IN
—
Unit
V
V
μA
μA
—
V
Condition
—
—
V IL = 0V
V IH = V IN , V IN = 3.7
I OL = 1 mA
I OH = -1 mA
Note 1:
2:
Measurement Conditions: T A = 25°C, V IN = 3.3V, Crystal Frequency = 12.8 MHz, unless otherwise
specified.
Negative current is defined as the current sourced by the pin.
DS75017A-page 22
Preliminary
? 2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRX-001-433DR-B | MODULE RECEIVER 433MHZ 18DIP |
| MRX-002-433DR-B | MODULE RECEIVER 433MHZ 18DIP |
| MRX-002SL-433DR-B | MODULE RCVR 433MHZ SAW LN 24DIP |
| MRX-005-915DR-B | MODULE RECEIVER 915MHZ 18DIP |
| MRX-005SL-915DR-B | MODULE RCVR 915MHZ SAW LN 24DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF89XAM9AT-I/RM | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:915 MHz Ultra Low-Power Sub-GHz Transceiver Module |
| MRF89XAT-I/MQ | 功能描述:射频收发器 868/915/950 MHz Sub-GHz transceiver RoHS:否 制造商:Atmel 频率范围:2322 MHz to 2527 MHz 最大数据速率:2000 Kbps 调制格式:OQPSK 输出功率:4 dBm 类型: 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最大工作温度:+ 85 C 接口类型:SPI 封装 / 箱体:QFN-32 封装:Tray |
| MRF8HP21080HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8HP21080HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。