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参数资料
| 型号： | MRF8S18120HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 409K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.81GHz |
| 增益： | 18.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 72W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MRF8S18120HSR3DKR |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S18120HR3 MRF8S18120HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 6. EVM versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
Pout=72WAvg.
25 W Avg.
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
1900
0
6
1800
3
1
1840
1820
4
2
1860
46 W Avg.
-- 4 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 7. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
-- 4 5
-- 5 0
-- 5 5
f = 1880 MHz
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz (dBc)
-- 6 0
-- 6 5
-- 7 0
0
-- 8 0
-- 5 0
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 6 0
-- 6 5
-- 7 0
10
Figure 8. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 600 kHz (dBc)
20 10030 40 50
60 70 80 90
-- 7 5
-- 5 5
5
1880
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
1840 MHz
1805 MHz
f = 1880 MHz
1840 MHz
1805 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
100
4
10
8
6
0
10
1
2
15
75
45
30
0
Figure 9. EVM and Drain Efficiency versus
Output Power
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
EVM
60
ηD
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
f = 1880 MHz
1840 MHz
1805 MHz
1840 MHz
Figure 10. Broadband Frequency Response
0
20
1440
1540
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
=28Vdc
Pin
=0dBm
IDQ
= 800 mA
15
10
5
GAIN (dB)
Gain
1640 1740 1840 2040 2140 2240 23401940
IRL
-- 2 0
0
-- 5
-- 1 0
-- 1 5
IRL (dB)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA
EDGE Modulation
VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA
EDGE Modulation
VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA
EDGE Modulation
VDD
=28Vdc,IDQ
= 800 mA
EDGE Modulation
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PDF描述 |
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| MRF8P20165WHR5 | FET RF LDMOS 28V 550MA NI780-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S18120HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.8GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S18210WGHSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.8GHZ 210W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S18210WGHSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.8GHZ 210W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S18210WHS | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF8S18210WHSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 1.8GHZ 55W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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