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参数资料
| 型号： | MRF8S18260HSR6 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 505K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 260W NI1230S-8 |
| 标准包装： | 150 |
| 晶体管类型： | LDMOS（双） |
| 频率： | 1.81GHz |
| 增益： | 17.9dB |
| 电压 - 测试： | 30V |
| 电流 - 测试： | 1.6A |
| 功率 - 输出： | 74W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | SOT-1110B |
| 供应商设备封装： | NI1230S-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRF8S18260HR6 MRF8S18260HSR6
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S19140HSR3 | FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780HS |
| MRF8S19260HSR6 | FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230S-8 |
| MRF8S21120HSR3 | FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780HS |
| MRF8S21140HSR3 | FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S |
| MRF8S21200HSR6 | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S19140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19140HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF8S19140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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