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参数资料
| 型号： | MRF8S19140HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 402K |
| 描述： | FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780H |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 1.96GHz |
| 增益： | 19.1dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 1.1A |
| 功率 - 输出： | 34W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S19140HR3 MRF8S19140HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
32 4033 37 38 3935
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1100 mA, Pulsed CW,
10
μsec(on) 10% Duty Cycle
54
52
50
36
55
53
47
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
51
56
58
34
31
30
57
49
48
29
Ideal
Actual
1990 MHz
1930 MHz
1960 MHz
1990 MHz
1960 MHz
1930 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
1930
170
52.3
207
53.1
1960
165
52.2
205
53.1
1990
166
52.2
203
53.1
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
?
Zload
?
1930
P1dB
4.97 -- j5.89
1.28 -- j2.16
1960
P1dB
7.33 -- j5.00
1.18 -- j2.04
1990
P1dB
8.82 -- j5.01
1.04 -- j2.68
Figure 10. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CDV16FF421JO3F | CAP MICA 420PF 1KV 5% RADIAL |
| MRFE6VP6300HR3 | FET RF N-CH 300W NI780-4 |
| B84299K62C | FILTER POWER LINE 4A 250V |
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| CDV16FF421JO3 | CAP MICA 420PF 1KV 5% RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF8S19140HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF8S19140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S19260H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
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