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参数资料
| 型号： | MRF8S21120HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 505K |
| 描述： | FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780HS |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.17GHz |
| 增益： | 17.6dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 850mA |
| 功率 - 输出： | 28W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21120HR3 MRF8S21120HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
29 4030
31
35
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 850 mA, Pulsed CW,
10
μsec(on), 10% Duty Cycle
52
50
48
36 3837 39
Actual
Ideal
53
51
47
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
49
54
56
57
58
34
33
32
55
2110 MHz
2110 MHz
2140 MHz
2170 MHz
2140 MHz
2170 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
2110
155
51.9
174
52.4
2140
158
52.0
186
52.7
2170
155
51.9
182
52.6
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
?
Zload
?
2110
P1dB
3.73 -- j8.14
1.29 -- j3.01
2140
P1dB
4.93 -- j8.59
1.32 -- j3.16
2170
P1dB
7.50 -- j9.37
1.40 -- j3.28
Figure 10. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8S21140HSR3 | FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S |
| MRF8S21200HSR6 | MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS |
| MRF8S23120HSR5 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| MRF8S26120HSR3 | FET RF N-CH 2.6GHZ 28V NI780S |
| MRF8S7170NR3 | FET RF N-CH 700MHZ 28V OM780-2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S21120HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21140HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2GHZ 140W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2GHZ 140W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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