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参数资料
| 型号： | MRF8S21140HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 214K |
| 描述： | FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.14GHz |
| 增益： | 17.9dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 970mA |
| 功率 - 输出： | 34W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21140HR3 MRF8S21140HSR3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC12FA391G-TF | CAP MICA 390PF 100V 2% 1210 |
| MRF8S19140HR3 | FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780H |
| CDV16FF421JO3F | CAP MICA 420PF 1KV 5% RADIAL |
| MRFE6VP6300HR3 | FET RF N-CH 300W NI780-4 |
| B84299K62C | FILTER POWER LINE 4A 250V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S21140HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2GHZ 140W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21140HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21140HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21172HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S21172HR3_12 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
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