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参数资料
| 型号： | MRF8S23120HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 444K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 120W NI-780 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 2.3GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 电流 - 测试： | 800mA |
| 功率 - 输出： | 28W |
| 电压 - 额定： | 65V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S23120HR3 MRF8S23120HSR3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C3391-49.152 | OSC 49.152 MHZ 3.3V +/-25PPM SMD |
| MRF8S23120HR3 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780 |
| MIN02-002CC110J-F | CAP MICA 11PF 300V 5% SMD |
| MRF6V4300NR1 | MOSFET RF N-CH 300W TO-270-4 |
| MRF6V4300NBR1 | MOSFET RF N-CH 300W TO-272-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S23120HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S23120HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.3GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S26060HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S26060HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S26060HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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