型号: | MRF8S8260HSR3 |
厂商: | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
封装: | ROHS COMPLIANT, NI-880S, CASE 465C-02, 2 PIN |
文件页数: | 1/14页 |
文件大小: | 576K |
代理商: | MRF8S8260HSR3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MRF8S9120NR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF8S9202NR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF8S9220HSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF8S9260HR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
MRF8S9260HSR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MRF8S8260HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF8S9100HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 100W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF8S9100HR3_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
MRF8S9100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 100W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRF8S9100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 100W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |