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参数资料
| 型号： | MRF8S9100HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 484K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 100W NI-780 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 920MHz |
| 增益： | 19.3dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 500mA |
| 功率 - 输出： | 72W |
| 电压 - 额定： | 70V |
| 封装/外壳： | NI-780 |
| 供应商设备封装： | NI-780 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S9100HR3 MRF8S9100HSR3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS10P02R2G | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC |
| B84299D1101B1 | FILTER POWER LINE 100A 250V |
| B84299C1630E3 | FILTER POWERLINE 63A 250/440V |
| MIN02-002DC350J-F | CAP MICA 35PF 300V 5% SMD |
| MIN02-002DC330J-F | CAP MICA 33PF 300V 5% SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF8S9100HR3_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| MRF8S9100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 100W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9100HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 100W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 100W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF8S9102NR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 50W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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