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参数资料
| 型号： | MRF9080SR3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 20 characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matric Character and Cursor |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-780S, CASE 465A-06, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 439K |
| 代理商： | MRF9080SR3 |
MRF9080 MRF9080R3 MRF9080SR3 MRF9080LSR3
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MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 4. Broadband GSM 900 Optimized Demo Board Component Layout
MRF9080
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"#
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF9080R3 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| MRF9080 | 128K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM |
| MRF9100 | GSM/EDGE 900 MHz, 110 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs |
| MRF9100R3 | GSM/EDGE 900 MHz, 110 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs |
| MRF9100SR3 | 20 characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matric Character and Cursor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF9085 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:880 MHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs |
| MRF9085LR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 90W 880MHZ 26V NI780L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9085LR3_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF9085LR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 90W 880MHZ 26V NI780L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF9085LSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF PWR LDMOS LTP COBRA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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