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参数资料
| 型号： | MRF949T1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Low Noise Transistor(低噪声晶体管) |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SC-75, SC-90, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | MRF949T1 |
MRF949T1
7
MOTOROLA RF/IF DEVICE DATA
Table 1. Common Emitter S–Parameters
VCE
(Vdc)
IC
f
S11
S21
S12
S22
(mA)
(GHz)
|S11|
0.964
0.926
0.872
0.773
0.701
0.672
0.605
0.579
0.537
0.521
0.520
0.529
0.543
0.552
0.571
φ
|S21|
3.62
3.41
2.98
2.67
2.40
2.27
1.95
1.77
1.43
1.22
1.06
0.94
0.84
0.79
0.72
φ
|S12|
0.028
0.078
0.115
0.140
0.157
0.163
0.172
0.176
0.173
0.168
0.168
0.179
0.205
0.248
0.296
φ
|S22|
0.989
0.950
0.878
0.811
0.751
0.725
0.660
0.631
0.584
0.555
0.542
0.543
0.541
0.525
0.527
φ
1.0
1.0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.0
1.3
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
–12
–36
–55
–73
–89
–96
–116
–127
–152
–173
171
157
145
133
123
171
152
135
121
110
105
90
83
66
52
41
31
24
17
13
82
69
56
47
40
37
31
27
24
25
31
38
45
48
48
–6
–17
–24
–31
–37
–39
–44
–48
–56
–65
–74
–84
–95
–106
–117
3.0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.0
1.3
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.896
0.780
0.653
0.551
0.488
0.468
0.431
0.420
0.410
0.415
0.426
0.439
0.454
0.470
0.492
–20
–57
–80
–101
–117
–125
–143
–153
–174
169
157
146
137
128
119
9.79
8.17
6.36
5.11
4.23
3.89
3.14
2.78
2.16
1.80
1.55
1.37
1.24
1.13
1.05
165
138
120
107
97
93
82
77
63
52
43
34
26
19
12
0.027
0.068
0.089
0.103
0.113
0.117
0.128
0.137
0.157
0.179
0.205
0.234
0.265
0.302
0.339
79
61
51
46
43
43
43
43
44
45
46
46
45
44
41
0.960
0.826
0.680
0.578
0.510
0.484
0.425
0.401
0.364
0.343
0.332
0.332
0.329
0.323
0.324
–12
–29
–38
–43
–47
–48
–51
–54
–60
–68
–76
–85
–95
–105
–116
5.0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.0
1.3
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.831
0.668
0.530
0.450
0.409
0.397
0.378
0.376
0.378
0.392
0.402
0.417
0.433
0.451
0.469
–27
–72
–97
–118
–133
–140
–157
–166
177
162
151
141
133
125
117
14.66
10.92
7.88
6.06
4.89
4.47
3.55
3.12
2.41
1.99
1.71
1.51
1.36
1.25
1.16
160
129
112
100
92
88
79
74
62
52
43
35
27
20
13
0.026
0.059
0.075
0.087
0.098
0.103
0.119
0.131
0.159
0.190
0.221
0.253
0.286
0.321
0.356
75
57
51
49
49
50
51
51
52
51
50
48
46
43
40
0.929
0.719
0.556
0.458
0.400
0.379
0.331
0.312
0.283
0.266
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0.257
0.254
0.250
0.251
–16
–37
–44
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–118
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF9511LT1 | CAP CERAMIC 5.1PF 25V C0G 0201 |
| MRF957T1 | NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors |
| MRF9820T1 | SURFACE MOUNT LOW NOISE ENHANCEMENT MODE GaAs CASCODE |
| MRF9822T1 | HIGH FREQUENCY POWER TRANSISTOR GaAs PHEMT |
| MRFG35003MT1 | The RF GaAs Line GALLIUM ARSENIDE PHEMT RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF951 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| MRF9511LT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-143 |
| MRF951V2 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF951V3 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| MRF951V4 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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