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参数资料
| 型号： | MRFA2602 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 衰减器 |
| 英文描述： | TRI N RECP F FLG 4-20 |
| 中文描述： | 470 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | MRFA2602 |
5
MRFA2602
MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 429C–03
ISSUE B
STYLE 1:
PIN 1. RF INPUT
2. RF OUTPUT
3. +VCC1
4. +VCC2
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
T
U
V
W
MIN
114.88
84.88
3.40
54.70
111.40
3.40
4.00
39.90
44.30
81.40
–––
MAX
115.12
85.12
3.60
54.90
111.60
3.60
4.20
40.70
45.10
81.60
17.00
MIN
4.523
3.342
0.134
2.154
4.386
0.134
0.157
1.571
1.744
3.205
–––
MAX
4.532
3.351
0.142
2.161
4.394
0.142
0.165
1.602
1.776
3.213
0.669
INCHES
MILLIMETERS
51.80
33.00
14.60
69.60
3.40
3.00
53.50
80.80
4.50
95.80
52.00
33.20
15.40
70.40
3.70
3.30
54.30
81.00
4.90
96.60
2.039
1.229
0.575
2.740
0.134
0.118
2.106
3.181
0.177
3.772
2.047
1.307
0.606
2.772
0.146
0.130
2.138
3.189
0.193
3.803
F
G
P
N
M
K
B
A
E
D
HJ
T
QU
C
L
V
COAREA
G
2
3
R
4 PL
S
4 PL
1
4
5
W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFA2604 | RF POWER AMPLIFIER |
| MRFIC2001 | 900 MHz DOWNCONVERTER LNA/MIXER SILICON MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT |
| MRFIC2002 | 900 MHz TX-MIXER SILICON MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT |
| MRFIC2004 | 900 MHz DRIVER & RAMP SILICON MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT |
| MRFIC2006 | 900 MHz 2 STAGE PA SILICON MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFA2604 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER AMPLIFIER |
| MRFE6P3300HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 900MHZ 300W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6P3300HR3_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRFE6P3300HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 900MHZ 300W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6P9220HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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