型号: | MRFA2604 |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 衰减器 |
英文描述: | RF POWER AMPLIFIER |
中文描述: | 470 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
文件页数: | 8/8页 |
文件大小: | 286K |
代理商: | MRFA2604 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MRFE6P3300HR3_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
MRFE6P3300HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 900MHZ 300W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRFE6P9220HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
MRFE6P9220HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |