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参数资料
| 型号： | MRFC581 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 255K |
| 代理商： | MRFC581 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF580A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MRFC581A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MRF580 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MRFC966 | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
| MRF966 | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6P3300HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 900MHZ 300W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6P3300HR3_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRFE6P3300HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6 900MHZ 300W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6P9220HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6P9220HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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