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参数资料
| 型号： | MRFE6S9135HR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 442K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880 |
| 产品变化通告： | RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010 |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 940MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 39W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-880 |
| 供应商设备封装： | NI-880 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
Figure 1. MRFE6S9135HR3(HSR3) Test Circuit Schematic
Z11 0.202″
x 0.980
″
x 0.444
″
Taper
Z12 0.114″
x 0.444
″
Microstrip
Z13 0.145″
x 0.444
″
x 0.110
″
Taper
Z14 0.180″
x 0.110
″
Microstrip
Z15 0.585″
x 0.110
″
Microstrip
Z16 0.443″
x 0.065
″
Microstrip
Z17 0.274″
x 0.065
″
Microstrip
PCB Taconic RF-35, 0.030″, εr
= 3.5
Z1 0.263″
x 0.065
″
Microstrip
Z2 0.310″
x 0.065
″
Microstrip
Z3 0.910″
x 0.120
″
Microstrip
Z4 0.248″
x 1.020
″
x 0.120
″
Taper
Z5 0.363″
x 1.020
″
Microstrip
Z6 0.057″
x 1.120
″
Microstrip
Z7, Z8 0.823″
x 0.120
″
Microstrip
Z9 0.060″
x 0.980
″
Microstrip
Z10 0.149″
x 0.980
″
Microstrip
Z1
RF
INPUT
C1
C2
Z2
Z3
Z4
Z5
DUT
Z9
C14
C25
RF
OUTPUT
Z10
Z11
Z12
Z13
Z17
C6
B1
VBIAS
C3
Z6
R1
C7
C9
C8
C11
C10
C12
Z14
Z15
Z16
Z7
C15
C16
C17
C18
Z8
R2
C4
+
C5
R3
C19
+
VSUPPLY
C20
C21
C22
C23
C24
+
VSUPPLY
C13
Table 5. MRFE6S9135HR3(HSR3) Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Part Number
Manufacturer
B1
Short RF Bead
2743019447
Fair-Rite
C1, C6, C15, C20, C25
39 pF Chip Capacitors
ATC100B390JT500XT
ATC
C2, C14
0.8-8.0 pF Variable Capacitors, Gigatrim
27291SL
Johanson
C3
2.0 pF Chip Capacitor
ATC100B2R0JT500XT
ATC
C4
33 μF, 25 V Electrolytic Capacitor
EMVY250ADA330MF55G
Nippon Chemi-Con
C5, C16, C17, C18, C21,
C22, C23
10 μF, 50 V Chip Capacitors
GRM55DR61H106KA88B
Murata
C7, C8
6.8 pF Chip Capacitors
ATC100B6R8JT500XT
ATC
C9, C10, C11, C12, C13
4.7 pF Chip Capacitors
ATC100B4R7JT500XT
ATC
C19, C24
470 μF, 63 V Electrolytic Capacitors
EKME630ELL471MK25S
United Chemi-Con
R1, R3
3.3 Ω, 1/3 W Chip Resistors
CRCW12103R30FKEA
Vishay
R2
2.2 KΩ, 1/4 W Chip Resistor
CRCW12062201FKEA
Vishay
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2765E-66.667000MHZ | OSC 66.667000 MHZ SMD S SPCTRM |
| KT11P4SA2M35LFG | SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V |
| KT11P4SA3M35LFG | SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V |
| KT11P2SA3M35LFG | SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V |
| KT11P2SA3M34LFS | SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9135HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9135HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9135HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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