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参数资料
| 型号： | MRFE6S9135HR5 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 442K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880 |
| 标准包装： | 50 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 940MHz |
| 增益： | 21dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1A |
| 功率 - 输出： | 39W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-880 |
| 供应商设备封装： | NI-880 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 2. MRFE6S9135HHR3(HSR3)
Test Circuit Component Layout
R3
MRFE6S9135H
Rev. 1
CUT OUT AREA
B1
R2
C4
C5
C6
C3 R1
C1
C2
C19
C15
C16 C17
C18
C7
C9 C10
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C12
C13
C14
C25
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C21
C22
C20
C8
C24
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRFE6S9135HR3 | MOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880 |
| 2765E-66.667000MHZ | OSC 66.667000 MHZ SMD S SPCTRM |
| KT11P4SA2M35LFG | SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V |
| KT11P4SA3M35LFG | SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V |
| KT11P2SA3M35LFG | SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9135HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9135HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6S9160HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 160W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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