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参数资料
| 型号： | MRFE6S9201HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 487K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 20.8dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 40W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-780S |
| 供应商设备封装： | NI-780S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6S9201HR3 MRFE6S9201HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
0
1 10010
?40
?20
?60
7th Order
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA
f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
Two?Tone Measurements
5th Order
3rd Order
400
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
TWO?TONE SPACING (MHz)
1 10010
?60
IM3?U
?20
?40
IMD, INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
?50
?30
IM3?L
IM5?U
IM5?L
IM7?L
?10
Figure 9. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
63
Pin, INPUT POWER (dBm)
Actual
Ideal
62
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
29
P6dB = 54.86 dBm (306.2 W)
VDD
= 28 Vdc, P
out
= 200 W (PEP), I
DQ
= 1400 mA
Two?Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 880 MHz
?80
?100
IM7?U
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
VDD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA, Pulsed CW
12 μsec(on), 1% Duty Cycle, f = 880 MHz
P3dB = 54.18 dBm (261.82 W)
P1dB = 53.21 dBm
(209.41 W)
Figure 10. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
0 ?90
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
70
?20
40
C
?40
30
?50
20
?60
10
1 100 30010
?70
ηD
Gps
TC
= ?30
C
ACPR
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%), G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD= 28 Vdc, IDQ
= 1400 mA
60
f = 880 MHz, N?CDMA IS?95 (Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8
50
Through 13)
ALT1, CHANNEL POWER (dBc)
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
25C
85C
?30
25C
85C
?80
?30
25C
85C
ALT1
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PDF描述 |
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