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参数资料
| 型号： | MRFE6S9205HSR3 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 404K |
| 描述： | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880S |
| 标准包装： | 250 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 880MHz |
| 增益： | 21.2dB |
| 电压 - 测试： | 28V |
| 额定电流： | 10µA |
| 电流 - 测试： | 1.4A |
| 功率 - 输出： | 58W |
| 电压 - 额定： | 66V |
| 封装/外壳： | NI-880S |
| 供应商设备封装： | NI-880S |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MRFE6S9205HR3 MRFE6S9205HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
C19
B1
C6
C5
C15
C16
C17
CUT OUT AREA
MRFE6S9205H
Rev. 1
+
R2
R3
C7
C4
C3
R1
C1
C2
C18
C23
C24
C21
C22
C25
C26
C27
C20
C9
C13
C12
C11
C10
C8
C14
Figure 2. MRFE6S9205HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF8P20140WHR3 | FET RF LDMOS 28V 500MA NI780-4 |
| B84312C30B103 | FILTER COMM LINE W/EMP 1A 100VAC |
| 3224X-1-504E | TRIMMER 500K OHM 0.25W SMD |
| MC12FD910J-F | CAP MICA 91PF 500V 5% 1210 |
| MRF8P20161HSR5 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRFE6S9205HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP100H | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors |
| MRFE6VP100HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 100W 50V ISM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRFE6VP100HR5-CUT TAPE | 制造商:Freescale 功能描述:MRFE6VP Series 1 GHz 100 W 26 dB Gain PNP RF Power Transistor - CASE 017 AA |
| MRFE6VP100HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 100W 50V ISM RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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