收藏本站
参数资料
型号： MRFG35003MT1
厂商： MOTOROLA INC
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： The RF GaAs Line GALLIUM ARSENIDE PHEMT RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封装： PLASTIC, CASE 466-02, 4 PIN
文件页数： 7/8页
文件大小： 344K
代理商： MRFG35003MT1
7
MRFG35003MT1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Table 2. Class AB Common Source S–Parameters at V
DS
= 12 Vdc, I
DQ
= 50 mA (continued)
f
S
11
S
21
S
12
S
22
GHz
2.85
|S
11
|
0.868
∠ φ
136.03
|S
21
|
1.845
∠ φ
7.80
|S
12
|
0.043
∠ φ
–38.56
|S
22
|
0.537
∠ φ
153.86
2.90
0.866
134.67
1.828
6.20
0.043
–39.94
0.536
153.32
2.95
0.866
133.02
1.812
4.39
0.043
–41.41
0.534
152.08
3.00
0.868
131.47
1.795
2.53
0.043
–42.49
0.536
151.08
3.05
0.865
129.99
1.780
0.80
0.043
–43.57
0.535
150.49
3.10
0.864
128.11
1.766
–1.00
0.043
–44.68
0.532
149.20
3.15
0.865
126.39
1.745
–2.87
0.043
–45.67
0.533
148.09
3.20
0.864
124.86
1.728
–4.58
0.043
–46.62
0.533
147.42
3.25
0.861
122.97
1.714
–6.48
0.043
–47.78
0.531
146.29
3.30
0.863
121.30
1.697
–8.33
0.043
–49.02
0.532
145.13
3.35
0.862
119.77
1.681
–9.97
0.043
–49.91
0.532
144.52
3.40
0.860
117.84
1.665
–11.83
0.043
–50.93
0.529
143.46
3.45
0.862
116.26
1.648
–13.70
0.043
–51.73
0.529
142.35
3.50
0.861
114.65
1.630
–15.43
0.043
–52.55
0.530
141.50
3.55
0.860
112.77
1.620
–17.24
0.044
–53.64
0.527
140.51
3.60
0.862
111.19
1.602
–18.99
0.044
–54.74
0.525
139.19
3.65
0.861
109.76
1.584
–20.65
0.044
–55.56
0.525
138.23
3.70
0.860
108.08
1.572
–22.49
0.044
–56.84
0.524
137.30
3.75
0.861
106.70
1.557
–24.18
0.044
–58.11
0.523
136.00
3.80
0.862
105.31
1.544
–25.86
0.044
–59.31
0.524
134.95
3.85
0.862
103.85
1.533
–27.47
0.044
–60.49
0.523
134.13
3.90
0.861
102.50
1.519
–29.14
0.044
–61.50
0.521
132.71
3.95
0.862
101.16
1.508
–30.97
0.044
–62.41
0.522
131.61
4.00
0.861
99.84
1.499
–32.49
0.044
–63.14
0.520
130.97
4.05
0.861
98.44
1.494
–34.26
0.044
–64.07
0.518
129.57
4.10
0.861
97.12
1.482
–35.96
0.044
–64.91
0.518
128.23
4.15
0.859
96.07
1.474
–37.51
0.045
–65.77
0.515
127.49
4.20
0.858
94.61
1.471
–39.42
0.045
–67.06
0.512
125.93
4.25
0.859
93.26
1.463
–41.19
0.045
–68.21
0.512
124.32
4.30
0.859
92.06
1.458
–42.86
0.045
–69.40
0.511
123.47
4.35
0.857
90.72
1.457
–44.58
0.046
–70.54
0.507
122.03
4.40
0.857
89.22
1.450
–46.51
0.046
–71.95
0.508
120.25
4.45
0.855
87.99
1.446
–48.27
0.046
–73.34
0.508
119.27
4.50
0.855
86.49
1.453
–50.09
0.047
–74.58
0.504
117.72
4.55
0.855
84.61
1.448
–52.14
0.046
–75.92
0.503
115.65
4.60
0.854
83.10
1.449
–53.98
0.047
–76.82
0.501
114.46
4.65
0.853
81.10
1.454
–56.16
0.047
–78.14
0.495
112.83
4.70
0.851
78.94
1.450
–58.44
0.048
–79.84
0.492
110.59
4.75
0.851
77.09
1.450
–60.56
0.048
–81.55
0.491
109.01
4.80
0.848
74.85
1.450
–62.75
0.048
–83.28
0.486
107.24
4.85
0.849
72.60
1.448
–65.03
0.048
–84.88
0.483
105.01
4.90
0.845
70.48
1.443
–67.33
0.048
–86.30
0.482
103.27
4.95
0.841
68.09
1.443
–69.60
0.048
–87.72
0.477
101.51
5.00
0.841
65.50
1.442
–72.12
0.048
–89.22
0.474
99.28
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
相关PDF资料
PDF描述
MRFIC0001 QUADRATURE MODULATOR INTEGRATED CIRCUIT
MRFIC0903 ANTENNA SWITCH GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
MRFIC0904 900 MHz GaAs TWO STAGE DRIVER AMP INTEGRATED CIRCUIT
MRFIC0912 900 MHz GaAs INTEGRATED POWER AMPLIFIER
MRFIC0913 900 MHz GSM CELLULAR INTEGRATED POWER AMPLIFIER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
相关代理商/技术参数
参数描述
MRFG35003N6AT1 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35003N6T1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003NR5 功能描述:TRANSISTOR RF 3W 12V POWER FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003NT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35005ANT1 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 4.5W GAAS PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*