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参数资料
| 型号： | MRS1504T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 105K |
| 描述： | DIODE STD REC 1.5A 400A SMB |
| 产品目录绘图： | Rectifier SMB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 400V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1.5A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.04V @ 1.5A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 400V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1565 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MRS1504T3GOSDKR |
MRS1504T3G, NRVS1504T3G
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
V
RRM
RWM
VR
400
V
Average Rectified Forward Current
(At Rated VR, TI
= 118
°C)
IO
1.5
A
Peak Repetitive Forward Current
(Rated VR, Square Wave, 20 kHz, TI
= 118
°C)
IFRM
3.0
A
Non?Repetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rated load conditions, halfwave, single phase, 60 Hz)
IFSM
50
A
Storage/Operating Case Temperature Range
Tstg, TC
?55 to 150
°C
Operating Temperature Range
TJ
?55 to 150
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t
he
Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS
Rating
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance, Junction?to?Lead (Note 1)
Rtjl
18
°C/W
Thermal Resistance, Junction?to?Ambient (on 1″
sq. Cu. PCB pattern)
Rtja
79
°C/W
1. Minimum pad size.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating
Symbol
TJ
= 25C
TJ
= 100C
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2), see Figure 2
(IF
= 1.5 A)
(IF
= 2.25 A)
VF
1.04
1.10
0.96
1.02
V
Maximum Instantaneous Reverse Current, see Figure 4
(VR
= 400 V)
(VR
= 200 V)
IR
1.0
0.5
340
180
A
2. Pulse Test: Pulse Width ≤
250
s, Duty Cycle ≤
2.0%
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PDF描述 |
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参数描述 |
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