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参数资料
| 型号： | MS1226 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
| 中文描述： | HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, M113, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | MS1226 |
MSC0943.PDF 10-28-98
MS1226
140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
HF SSB APPLICATIONS
DESCRIPTION:
The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistor
designed primarily for SSB communications. This device
utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and
reliability.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
Collector-base Voltage
V
CEO
Collector-emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Device Current
P
DISS
Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Parameter
Value
65
36
4.0
4.5
80
+200
-65 to +150
Unit
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Thermal Data
R
TH(J-C)
Junction-case Thermal Resistance
2.2
°
C/W
Features
30 MHz
28 VOLTS
IMD = -28 dB
P
OUT
= 30 WATTS
G
P
= 18 dB MINIMUM
COMMON EMITTER CONFIGURATION
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PDF描述 |
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| MS305 | 3 Amp Schottky Rectifier |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MS1227 | 功能描述:射频放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
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