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参数资料
| 型号： | MSB1218A-RT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT |
| 中文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | MSB1218A-RT1 |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 6. Capacitance
VCB (V)
Figure 7. Capacitance
VEB (V)
13
0
12
11
10
9
6
1
2
3
4
14
0
C
12
10
8
6
4
0
10
20
30
40
C
8
7
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSB1218A-ST1 | PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT |
| MSB1218ART1 | PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT |
| MSC1157 | Speaker Drive Amplifier |
| MSC1162A | 40-Bit Vacuum Fluorescent Display Tube Grid/Anode Driver(40位显示的VFD管栅极/阳极驱动器) |
| MSC1162 | 40-Bit Vacuum Fluorescent Display Tube Grid/Anode Driver |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MSB1218A-RT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 45V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSB1218A-ST1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT |
| MSB1224MD-3W | 制造商:MORNSUN 制造商全称:MORNSUN 功能描述:DUAL/SINGLE OUTPUT DIP DC-DC CONVERTER |
| MSB-130-03-G-E | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN ARY TERM HDR 240 POS 1.27MM SLDR ST TH - Bulk |
| MSB-130-03-G-E-A | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN ARY TERM HDR 240 POS 1.27MM SLDR ST TH - Bulk |
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