参数资料
型号: MSB710-QT1
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: PNP General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount
中文描述: 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数: 5/6页
文件大小: 125K
代理商: MSB710-QT1
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 318D–03
ISSUE E
SC–59
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
S
G
H
D
C
B
L
A
1
3
2
J
K
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
MIN
2.70
1.30
1.00
0.35
1.70
0.013
0.10
0.20
1.25
2.50
MAX
3.10
1.70
1.30
0.50
2.10
0.100
0.26
0.60
1.65
3.00
MIN
MAX
0.1220
0.0669
0.0511
0.0196
0.0826
0.0040
0.0102
0.0236
0.0649
0.1181
INCHES
0.1063
0.0512
0.0394
0.0138
0.0670
0.0005
0.0040
0.0079
0.0493
0.0985
MILLIMETERS
NOTES:
1.
DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
2.
相关PDF资料
PDF描述
MSB710-RT1 PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount
MSB710-RT1 PNP General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount
MSB710QT1 PNP General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount
MSB710-RT1 PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount
MSB92WT1 PNP GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS SURFACE MOUNT
相关代理商/技术参数
参数描述
MSB710-RT1 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MSB710-RT1G 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MSB73D 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:RED LED ENCAPSULATED IN A 1mm x 5mm RECTANGULAR BARS PACKAGE
MSB73DA 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:ULTRA HIGH BRIGHTNESS RECTANGULAR BAR RED LED LAMP
MSB74D 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:1.2mm x 3.4mm RECTANGULAR BAR LED LAMP