| 型号: | MSB710QT1 |
| 厂商: | Motorola, Inc. |
| 英文描述: | PNP General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount |
| 中文描述: | 进步党通用放大器晶体管表面贴装 |
| 文件页数: | 4/6页 |
| 文件大小: | 125K |
| 代理商: | MSB710QT1 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSB710-RT1 | PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount |
| MSB92WT1 | PNP GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS SURFACE MOUNT |
| MSC0402 | 8-bit Microcontroller with 8K EEPROM and Advanced Security Features(8位微控制器(带8K的EEPROM和先进的安全性能)) |
| MSC0406 | 8-bit Microcontroller with 1.3K EEPROM and Advanced Security Features(8位微控制器(带1.3K的EEPROM和先进的安全性能 )) |
| MSC0407 | 8-bit Microcontroller with 4K EEPROM and Advanced Security Features(8位微控制器(带4K的EEPROM和先进的安全性能 )) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MSB710-QT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:PNP General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount |
| MSB710-RT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSB710-RT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSB73D | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:RED LED ENCAPSULATED IN A 1mm x 5mm RECTANGULAR BARS PACKAGE |
| MSB73DA | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:ULTRA HIGH BRIGHTNESS RECTANGULAR BAR RED LED LAMP |