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参数资料
| 型号： | MSCD165-08 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 165 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | CASE D1, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | MSCD165-08 |
MSKD165_MSAD165_MSCD165 - Rev 1
www.microsemi.com
Dec, 2009
1/3
MSKD165 ; MSAD165 ; MSCD165
Module Type
TYPE
VRRM
VRSM
MSKD165-08
MSKD165-12
MSKD165-16
MSKD165-18
MSAD165-08
MSAD165-12
MSAD165-16
MSAD165-18
MSCD165-08
MSCD165-12
MSCD165-16
MSCD165-18
800V
1200V
1600V
1800V
900V
1300V
1700V
1900V
Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Values
Units
IFAV
Tc=100
℃
165
A
IFSM
t=10mS Tvj =45
℃
6000
A
i2t
t=10mS Tvj =45
℃
180000
A2s
Visol
a.c.50Hz;r.m.s.;1min
3000
V
Tvj
-40 to 150
℃
Tstg
-40 to 125
℃
Mt
To terminals(M6)
5±15%
Nm
Ms
To heatsink(M6)
5±15%
Nm
Weight
Module
160
g
Thermal Characteristics
Symbol
Conditions
Values
Units
Rth(j-c)
Per diode
0.18
℃/W
Rth(c-s)
Module
0.05
℃/W
Electrical Characteristics
Circuit
Glass Passivated Rectifier
Diode Modules
VRRM 800 to 1800V
IFAV
165 Amp
Applications
Non-controllable rectifiers for AC/AC
converters
Line rectifiers for transistorized AC motor
controllers
Field supply for DC motors
Features
Blocking voltage:
800 to 1800V
Heat transfer through aluminum oxide ceramic
isolated metal baseplate
Glass passivated chip
Symbol
Conditions
Values
Units
VFM
T=25
℃ IFM =300A
1.4
V
IRD
Tvj=TvjM VRD=VRRM
≤9
mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSCD200-12 | 200 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MPG06B-E3/73 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MPG06B-HE3/73 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MPG06J-HE3/54 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MA46420-134 | VHF-KA BAND, 3.78 pF, 18 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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