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参数资料
| 型号： | MSD130-12 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 3 PHASE, 1200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | CASE M3, 5 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | MSD130-12 |
MSD130
MSD130-Rev 1
www.microsemi.com
Dec, 2009
2/3
Performance Curves
0 ID 20
40
60
80
100 120
140 A
Fig1. Forward Characteristics
Fig3. Transient thermal impedance
Fig2. Power dissipation
Fig4. Max Non-Repetitive Forward Surge
Current
0
Tc
50
100
150 °C
IF
400
A
300
200
100
0
VF
0.5
1.0
1.5
2.0 V
300
W
200
100
Pvtot
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100 S
1
10
cycles 100
Zth(j-C)
Typ.
25
℃
125
℃
0.5
0
1.0
℃/ W
1500
1000
500
0
2000
A
200
A
160
120
0
80
40
ID
50Hz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR30H100CT-E3/45 | 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MLL3595A | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| MA1.5KE10AE3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MA1.5KE68AE3TR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MASMLJ150AE3 | 3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MSD130-16 | 功能描述:DIODE BRIDGE 1600V 130A SM3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 桥式整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 峰值反向(最大):1000V 电流 - DC 正向(If):35A 二极管类型:单相 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):- 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 包装:托盘 供应商设备封装:ISOTOP? |
| MSD130-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - DIODE - Bulk |
| MSD1328 | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:NPN Low Voltage Output Amplifiers |
| MSD1328RT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-23VAR |
| MSD1328-RT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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